金融界2024年11月13日消息，国家知识产权局信息显示，江苏超芯星半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅生产废料制备碳化硅陶瓷的方法及碳化硅陶瓷”的专利，公开号CN 118930275 A，申请日期为2024年9月。

　　专利摘要显示，本发明提供了一种碳化硅生产废料制备碳化硅陶瓷的方法及碳化硅陶瓷，所述方法包括：(1)对碳化硅生产废料进行前处理，得到碳化硅粉料；(2)混合苯乙烯磺酸钠、亚硫酸氢钠、丙烯酸单体、烯丙基聚醚、过硫酸盐与第一溶剂，得到改性剂；(3)以步骤(2)所得改性剂对步骤(1)所得碳化硅粉料进行改性处理，得到改性碳化硅粉料，以改性碳化硅粉料制备碳化硅陶瓷。所述方法利用苯乙烯磺酸钠、丙烯酸类单体与烯丙基聚醚作为原料，在过硫酸盐引发剂的作用下得到改性剂，采用改性剂对碳化硅粉料进行表面改性，减少了改性碳化硅粉料在陶瓷制备过程中的聚集，得到了粘度较低且分散良好的陶瓷浆料，从而得到紧密型较高及硬度较高的碳化硅陶瓷。

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